Название: Анализ процессов в полупроводниковых устройствах - учеб. пособие (В.С. Данилов)

Жанр: Экономика

Просмотров: 1390


1.3. неравновесие

Любой физический случай, при котором происходит передача энергии между полупроводником и окружающей средой, нарушает тепловое равновесие полупроводника. Устройство на полупроводнике, используемое как активный прибор, почти всегда пребывает в состоянии неравновесия, при котором относительно простые формы закона действующих масс и концепции уровня Ферми не действуют. Однако анализ и построение простых основных моделей для областей полупроводника по алгоритму равновесия возможны, если уход от равновесия не слишком велик. Тогда с использованием простых моделей можно построить модели для активных устройств на полупроводниках, находящихся в неравновесии. Попытаемся проанализировать концепцию уровней инжекции как меру отхода от равновесия и опишем математический аппарат, применяемый для анализа области полупроводника, устойчиво работающей при условиях инжекции низкого уровня. Кроме того, концепцию генерации и рекомбинации носителей дополним количественной моделью захвата электронов ловушками в запрещенной зоне, а также рассмотрим уровни Ферми для состояния неравновесия.