Название: Физика полупроводниковых приборов - Конспект лекций(Макаров Е.А.)

Жанр: Экономика

Просмотров: 929


Содержание

Читать: Аннотация
Читать: Введение
Читать: 1. диффузионный и дрейфовый ток в полупроводниках
Читать: 2. зависимость подвижности от концентрации примесей, температуры и электрического поля
Читать: 3. фундаментальная система уравнений
Читать: 4. обеднение, обогащение и инверсия
Читать: 5. потенциальный барьер
Читать: 6. ширина области пространственного заряда p-n перехода
Читать: 7. зависимость концентраций неосновных неравновесных носителей зарядов на границах от напряжения на переходе
Читать: 8. рекомбинация неравновесных носителей заряда
Читать: 9. условия на контактах и поверхностная рекомбинация
Читать: 10. распределение неосновных носителей заряда вблизи p-n-перехода
Читать: 11. распределение носителей в транзисторной структуре
Читать: 12. физическая структура биполярного транзистора
Читать: 13. энергетическая диаграмма контакта металл-полупроводник
Читать: 14. токи в контакте металл-полупроводник
Читать: 15. гетеропереходы
Читать: 16. лавинное умножение
Читать: 17. структура металл-диэлектрик--полупроводник
Читать: 18. пороговое напряжение мдп транзистора
Читать: 19. вольт-амперная характеристика мдп транзистора
Читать: Литература